MEMS加工
MEMS 加工模块承接光刻、刻蚀、镀膜、键合、测试、减薄抛光、外延与掺杂及离子注入，便于拆分验证或补齐产线。
光刻
把掩膜版图形复制到晶圆上。接触式 / 步进 / 电子束，最小线宽至 50 nm。
刻蚀
选择性去除未被掩蔽的材料，实现图形转移。覆盖湿法、ICP、DRIE、IBE 与 RIE。
镀膜
在器件表面形成金属、介质与半导体薄膜。覆盖 CVD、ALD、溅射与蒸发。
键合
晶圆键合、临时键合/解键合、引线及 TSV / TGV，对准精度 ±5μm。
测试
电性、光电与可靠性测试，支持工程批与小批量筛选。
减薄抛光
研磨/减薄、抛光、激光与刀片切割及解理，均匀性 ±2μm。
外延与掺杂
在单晶衬底上淀积单晶层。MOCVD 外延 GaN / GaAs，CVD 生长 SiC。
离子注入
离子注入 B / P / F / Al 等，配套高温氧化、扩散/退火与快速退火。