MOCVD 外延 GaN / GaAs,CVD 生长 SiC。
外延是指在单晶衬底上淀积一层薄的单晶层,在 MEMS 中常用的方法是金属有机物化学气相沉积(MOCVD)。
按材料与图形定义可重复窗口。
进口机台,兼容 8 英寸及以下。
关键尺寸与形貌可闭环。
单步、分段或整线代工。
NDA 与封闭式产线。
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VCSEL 外延、探测器吸收层与 HEMT 异质结。
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