外延与掺杂

外延

MOCVD 外延 GaN / GaAs,CVD 生长 SiC。

  • 金属有机物化学气相沉积GaN,GaAs
  • 化学气相沉积SiC

外延是指在单晶衬底上淀积一层薄的单晶层,在 MEMS 中常用的方法是金属有机物化学气相沉积(MOCVD)。

工艺窗口

按材料与图形定义可重复窗口。

设备集群

进口机台,兼容 8 英寸及以下。

在线检测

关键尺寸与形貌可闭环。

分段或全流程

单步、分段或整线代工。

保密交付

NDA 与封闭式产线。

金属有机物化学气相沉积GaN,GaAs
化学气相沉积SiC
外形、版图与工艺窗口可按项目提供,联系工程师获取方案。

下载尺寸图

VCSEL 外延、探测器吸收层与 HEMT 异质结。

应用领域

数据中心数据中心
生物医疗生物医疗
智能汽车智能汽车
消费电子消费电子
智能制造智能制造