键合

键合

晶圆键合、临时键合、引线及 TSV / TGV,对准精度 ±5μm。

  • 晶圆键合阳极、共晶、胶键合,对准 ±5μm
  • 临时键合工艺完成后可解键合
  • 引线 / 回流Au、Al 线;真空回流 <450℃
  • TSV 硅通孔通孔、电镀填充、减薄、划片
  • TGV 玻璃通孔打孔、填充再布线、减薄划片

封装是把裸芯片放在一块起到承载作用的基板上,把管脚引出来,然后固定包装成为一个整体装配芯片最终产品的过程。键合覆盖晶圆键合、临时键合、引线及通孔工艺。

工艺窗口

按材料与图形定义可重复窗口。

设备集群

进口机台,兼容 8 英寸及以下。

在线检测

关键尺寸与形貌可闭环。

分段或全流程

单步、分段或整线代工。

保密交付

NDA 与封闭式产线。

晶圆键合阳极键合、共晶键合(AuSn,CuSn,AuSi 等)、胶键合(AZ4620,SU8,键合专用胶),对准精度 ±5μm
临时键合及解键合针对特殊工艺进行临时键合,工艺完成后可解键合
引线球形焊、楔形焊;Au 线,Al 线
回流炉真空: mbar,温度 <450℃±0.05℃
TSV(硅通孔)工艺通孔形成;绝缘层、阻挡层和种子层淀积;电镀填充、去除和再布线;晶圆减薄;键合、划片
TGV(玻璃通孔)工艺打孔、沉积、填充再布线、减薄、键合划片
外形、版图与工艺窗口可按项目提供,联系工程师获取方案。

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MEMS 封装、芯片贴装与异构集成。

应用领域

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