光刻

接触式 / 步进 / 电子束光刻，把掩膜图形复制到晶圆，线宽至 50 nm。

技术咨询

光刻的本质是把制作在掩膜版上的图形复制到晶圆上。其原理与照相相似，不同的是半导体晶圆与光刻胶代替了照相底片与感光涂层。

按材料与图形定义可重复窗口。

进口机台，兼容 8 英寸及以下。

关键尺寸与形貌可闭环。

单步、分段或整线代工。

NDA 与封闭式产线。

接触式光刻（MA6/BA6：	最小线宽：1μm，套刻精度：±0.5μm
步进式光刻（Stepper i7/i10/i12：	最小线宽：0.35μm，套刻精度≤0.15μm： / 4 / 6 inch 晶圆
电子束光刻	最小线宽：50nm，套刻精度：40nm；曝光范围直径 75mm；样品：15mm×15mm。 0mm×20mm。 / 3 / 4 inch；光刻胶：PMMA A2 / A4 / A8
背面套刻（MA6/BA6：	最小线宽：1μm，正面套刻精度：±0.5μm，背面套刻精度：±2μm

外形、版图与工艺窗口可按项目提供，联系工程师获取方案。

MEMS、化合物芯片与微纳光学图形化。