离子注入
离子注入与热扩散/退火，改变半导体导电性。
- 离子注入B，P，F，Al，N，Ar，H，He，Si
- 高温氧化1150℃
- 高温扩散/退火900℃… 100℃
- 快速退火150℃… 000℃
掺杂是指在本征半导体中掺入某些微量元素作为杂质，可使半导体的导电性发生显著变化。MEMS 工艺常用掺杂技术主要有两种，即高温（热）扩散和离子注入。
工艺窗口
按材料与图形定义可重复窗口。
设备集群
进口机台，兼容 8 英寸及以下。
在线检测
关键尺寸与形貌可闭环。
分段或全流程
单步、分段或整线代工。
保密交付
NDA 与封闭式产线。
| 离子注入 | B，P，F，Al，N，Ar，H，He，Si |
|---|---|
| 高温氧化 | 1150℃ |
| 高温扩散/退火 | 900℃… 100℃ |
| 快速退火 | 150℃… 000℃ |
外形、版图与工艺窗口可按项目提供，联系工程师获取方案。
阱、源漏、阈值调节与化合物掺杂激活。
应用领域
数据中心
生物医疗
智能汽车
消费电子
智能制造