镀膜
PVD / CVD 沉积金属、介质与光学薄膜，覆盖 LPCVD、PECVD、溅射与蒸发。
- LPCVD / PECVDSiNx、Poly-Si、SiO₂、a-Si，均匀性 <±5%
- ICPCVD / PEALDSiO₂、SiNx；Al2O3、HfO2、TiN 筿
- 光学镀膜SiO2、MgF2、ITO、TiO2、Ta2O5
- PVD 溅射Ti、Al、Ni、Au、Ag、Cr、Pt、Cu 筿
- 蒸发镀膜电子束 / 热蒸发：Ti、Al、Au、AuSn
镀膜工艺是一种在半导体器件表面形成致密薄膜层的技术。MEMS 中薄膜分为金属薄膜、介质薄膜和半导体薄膜，沉积方式包括物理气相沉积（PVD）和化学气相沉积（CVD）。
工艺窗口
按材料与图形定义可重复窗口。
设备集群
进口机台，兼容 8 英寸及以下。
在线检测
关键尺寸与形貌可闭环。
分段或全流程
单步、分段或整线代工。
保密交付
NDA 与封闭式产线。
| LPCVD（低压化学气相沉积） | SiNx，Poly-Si；片内均匀性：<±5% |
|---|---|
| PECVD（等离子增强化学气相沉积： | SiO₂，SiNx，a-Si（B,P 掺杂： |
| ICPCVD（感应耦合化学气相沉积： | SiO₂，SiNx |
| PEALD（原子层沉积： | Al2O3、HfO2、AlN、ZrO2、SiO2、TiN、TiO2 |
| 光学镀膜 | SiO2、MgF2、ITO、TiO2、Ta2O5、ZrO2、Al2O3 |
| PVD（溅射沉积） | Ti、Al、Ni、Au、Ag、Cr、Pt、Cu、TiW90、Pd、Zn、Mo、W、Ta、Ru、Si、SiC、NiCr20、Nb |
| 电子束蒸发 | Ti，Al，Ni，Ag，Cu，Cr，Sn，Pt，AuGe |
| 热蒸发 | Sn，AuSn，Ag，Au，In，Al，Cr，Cu，Ti |
外形、版图与工艺窗口可按项目提供，联系工程师获取方案。
钝化、电极、增逿 高反与阻挡层。
应用领域
数据中心
生物医疗
智能汽车
消费电子
智能制造