GaN 紫外探测器

宽禁带紫外探测结构，外延、台面与电极按截止波长与暗电流设计。

• 工艺可控窗口、均匀性与批次号追溯。
• 研发到小批量兼容小片打样与 4/6/8 英寸。
• 材料覆盖硅、化合物、石英等衬底可选。
• 检测闭环电学 / 光学 / 形貌出厂检测。
• 可定制版图、波长、封装按应用调整。