刻蚀
湿法、ICP、DRIE、IBE、RIE 与灰化，选择性去除材料、完成图形转移。
- 湿法腐蚀KOH、TMAH、金腐蚀；HF、BOE 筿
- ICP / RIEGaN、GaAs、InP；Si、SiO₂、SiNx
- 深硅刻蚀 DRIE均匀性 <±5%，选择比＞50:1
- 深氧化硅 / IBE石英、玻璃、硅；难蚀金属
- 去胶与灰化丙酮、异丙醇；光刻胶、PI
用物理的、化学的或同时使用化学和物理的方法，有选择地把没有被抗蚀剂掩蔽的那一部分材料去除，从而得到和抗蚀剂一致的图形，实现图形转移。
工艺窗口
按材料与图形定义可重复窗口。
设备集群
进口机台，兼容 8 英寸及以下。
在线检测
关键尺寸与形貌可闭环。
分段或全流程
单步、分段或整线代工。
保密交付
NDA 与封闭式产线。
| 湿法腐蚀 | 碱怿 KOH、TMAH、金腐蚀；酸怿 HF、BOE、HCl、HNO3、H2SO4、HAc |
|---|---|
| 光刻胶剥离 | 丙酮，异丙醇 |
| ICP 刻蚀（电感耦合等离子刻蚀： | GaN，GaAs，InP |
| 深硅刻蚀 DRIE | 刻蚀均匀性 <±5%，选择比＞50:1 |
| 深氧化硅刻蚀 | 石英，玻璃，硅；刻蚀形貌： 0°±1° |
| IBE 刻蚀（离子束刻蚀： | 用于较难刻蚀的金属或其他物质 |
| RIE 刻蚀（反应离子刻蚀： | Si，SiO₂，SiNx |
| Plasma（灰化） | 光刻胶，PI（聚酰亚胺） |
外形、版图与工艺窗口可按项目提供，联系工程师获取方案。
MEMS 高深宽比、金属图形化与化合物台面。
应用领域
数据中心
生物医疗
智能汽车
消费电子
智能制造