减薄抛光

研磨减薄、抛光与切割，均匀性 ±2μm。

技术咨询

切割是指在 MEMS 工艺流程的末端将晶片最终变成独立的芯片或晶粒的过程。减薄是通过去除半导体片的衬底或衬底一部分来减少器件的厚度。

按材料与图形定义可重复窗口。

进口机台，兼容 8 英寸及以下。

关键尺寸与形貌可闭环。

单步、分段或整线代工。

NDA 与封闭式产线。

研磨/减薄	Si，GaAs，GaN，InP，玻璃，蓝宝石，陶瓷等；均匀性：±2μm
抛光	Si，GaAs，GaN，InP，玻璃，蓝宝石，陶瓷等；表面粗糙度：1–10 nm
激光切割	Si MEMS；样品厚度：100–500μm；切割宽度：≤ 20μm；样品尺寸：8 寸（向下兼容）
刀片切割	8 英寸卡盘；Si，Ge，玻璃，石英，陶瓷，电路板
解理	GaAs，InP

外形、版图与工艺窗口可按项目提供，联系工程师获取方案。

封装前减薄、芯片分离与光学表面。