
GaN / SiC / 蓝宝石 / 硅衬底上的 HEMT 定制,含台面、栅、钝化与电性测试。
第三代宽禁带器件代工,按击穿、导通电阻与射频指标定义工艺窗口,支持 D-mode / E-mode。
窗口、均匀性与批次号追溯。
兼容小片打样与 4/6/8 英寸。
硅、化合物、石英等衬底可选。
电学 / 光学 / 形貌出厂检测。
版图、波长、封装按应用调整。
| 器件 | D-mode / E-mode HEMT |
|---|---|
| 衬底 | GaN / SiC / 蓝宝石 / Si |
| 交付 | 晶圆 / 芯片 |
| 检测 | 直流与射频电性 |
| 产线 | 4 / 6 / 8 英寸 |
功率变换、射频前端与科研原型。
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