GaN-HEMT 功率/射频

GaN-HEMT 功率/射频

GaN / SiC / 蓝宝石 / 硅衬底上的 HEMT 定制,含台面、栅、钝化与电性测试。

  • 工艺可控窗口、均匀性与批次号追溯。
  • 研发到小批量兼容小片打样与 4/6/8 英寸。
  • 材料覆盖硅、化合物、石英等衬底可选。
  • 检测闭环电学 / 光学 / 形貌出厂检测。
  • 可定制版图、波长、封装按应用调整。

第三代宽禁带器件代工,按击穿、导通电阻与射频指标定义工艺窗口,支持 D-mode / E-mode。

工艺可控

窗口、均匀性与批次号追溯。

研发到小批量

兼容小片打样与 4/6/8 英寸。

材料覆盖

硅、化合物、石英等衬底可选。

检测闭环

电学 / 光学 / 形貌出厂检测。

可定制

版图、波长、封装按应用调整。

器件D-mode / E-mode HEMT
衬底GaN / SiC / 蓝宝石 / Si
交付晶圆 / 芯片
检测直流与射频电性
产线4 / 6 / 8 英寸
外形、版图与工艺窗口可按项目提供,联系工程师获取方案。

下载尺寸图

功率变换、射频前端与科研原型。

应用领域

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