InGaAs 光电二极管

InGaAs 光电二极管

光电探测器品类覆盖硅光电二极管、InGaAs 丿 GaN 紫外,材料含 InP / Si / GaN。

  • 工艺可控窗口、均匀性与批次号追溯。
  • 研发到小批量兼容小片打样与 4/6/8 英寸。
  • 材料覆盖硅、化合物、石英等衬底可选。
  • 检测闭环电学 / 光学 / 形貌出厂检测。
  • 可定制版图、波长、封装按应用调整。

按目标波段选择硅或 InGaAs 吸收层,完成台面、钝化、焊盘与光电测试,支持工程批。

工艺可控

窗口、均匀性与批次号追溯。

研发到小批量

兼容小片打样与 4/6/8 英寸。

材料覆盖

硅、化合物、石英等衬底可选。

检测闭环

电学 / 光学 / 形貌出厂检测。

可定制

版图、波长、封装按应用调整。

品类Si PD / InGaAs PD
材料InP / Si
交付芯片 / 封装
检测光谱、暗电流、响应度
外形、版图与工艺窗口可按项目提供,联系工程师获取方案。

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工业光电传感、光谱与弱光探测。

应用领域

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