选择性去除未被掩蔽的材料，实现图形转移。覆盖湿法、ICP、DRIE、IBE 与 …
把掩膜版图形复制到晶圆上。接触式 / 步进 / 电子束，最小线宽至 50 nm。
GaN 基紫外探测器，面向日盲 / 近紫外波段的芯片代工。
硅 / InGaAs 光电二极管与 CMOS 探测结构定制，按光谱与噪声窗口。
InP 基 InGaAs PIN，覆盖近红外与通信波段，芯片或封装交付。
硅微针阵列，针尖可做到 50 μm 级，用于透皮给药与微量采样。
石英 / 硅微透镜阵列，Sag、曲率与填充率可按匀光或耦合定制。
耗尽型 / 增强型 GaN-HEMT，覆盖功率与射频流片。
InP / GaAs 边发射激光器，覆盖 FP、DFB、DBR 与 SE-DFB…
GaAs / InP / GaN 基垂直腔面发射激光器，波长与功率按应用定制。
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